YXS TECHNOLOGY FDV301N Kleinsignal-Felde ffekt transistoren MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 IC-Chip FDV301N

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Yxs Technology Co., Ltd.13 yrs

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YXS TECHNOLOGY FDV301N Kleinsignal-Felde ffekt transistoren MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 IC-Chip FDV301N

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

N-CH 25V 220MA SOT-23

Art

MOSFET

Markenname

Original

Paket-Art

Other

Andere Merkmale

Montage Typ

Original

Beschreibung

Original

Ursprungsort

China

Paket/Fall

Original

D/c

NEW

Lieferantentyp

Ursprünglicher Hersteller, Agentur

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle

品名

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Strom-Collector (Ic) (Max)

220 mA

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

25 V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungstyp

Oberfläche Montieren

FET Typ

N-Channel

Drain Quelle Spannung (Vdss)

25V

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

220mA (Ta)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.06V @ 250UA

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Nennstrom (Ampere)

220 mA

Power-Ausgang

350 mW

Spannung-Bewertet

25.0 V

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

2.7V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Spannung

25.0 V

Spannung-Ausgang

25.0 V

Anwendungen

Power Management, Consumer Electronics

brand

100% new and orignal

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