Beschreibung
Transistoren Mosfet
Ursprungsort
Guangdong, China
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller
Transistor polarität
P-Kanal
VDS-Drain-Source-Durchschlags pannung
55 v
Id-kontinuierlicher Drainage strom
31 a
Rds On - Drain-Source-Widerstand
65 Mohms
Vgs th-gate-quelle schwellen spannung
4 v
Minimale Betriebs temperatur
-55 c
Maximale Betriebs temperatur
+ 175 c
Gewichts einheit
0,011640 oz
