TO-247-3 600V diskrete Halbleiter IGBT-Transistoren HGTG30N60 HGTG30N60A4D

Name: TO-247-3 600V diskrete Halbleiter IGBT-Transistoren HGTG30N60 HGTG30N60A4D
Brand: XINKEY ELECTRONICS CO., LIMITED
SKU: 1600984334756
Price: 2 USD
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XINKEY ELECTRONICS CO., LIMITED2 yrs

TO-247-3 600V diskrete Halbleiter IGBT-Transistoren HGTG30N60 HGTG30N60A4D

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

HGTG30N60A4D

Art

JFET

Markenname

Original Brand

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ

Durch Loch

Beschreibung

Original

Ursprungsort

Guangdong, China

Paket/Fall

Bis-247-3

Art

Igbt-Transistoren

D/c

Neu

Anwendung

Leiterplatte

Lieferantentyp

Ursprünglicher Hersteller

品名

Igbt-Transistoren

Anwendungen

Leiterplatte

Produkt kategorie

Igbt-Transistoren

Technologie

Montage art

Durch Loch

Kollektor-Emitter-Spannung vceo max

600 v

Kollektor-Emitter-Sättigung spannung

1,8 v

Maximale Gate-Emitter-Spannung

20 v

Pd-Verlust leistung

463 w

Minimale Betriebs temperatur

-55 c

Maximale Betriebs temperatur

+ 150 c

Gewichts einheit

0,225401 oz

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung

Ursprüngliche Marke Standard verpackung.

Hafen

HongKong, Shenzhen

Lieferfähigkeit

100000 Stück/Stücke per Month

Beschaffungszeit

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

Mindestbestellmenge: 5 Stück

1,95-4,88 €

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