SMD二极管IRF6641TR1PBF封装SMD PNP晶体管MOSFET集成电路ic

Name: SMD二极管IRF6641TR1PBF封装SMD PNP晶体管MOSFET集成电路ic
Brand: JINYIYUAN Technology (Hong Kong) Co., Limited
SKU: 1601276423014
Price: 0.9 USD
Availability: InStock

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JINYIYUAN Technology (Hong Kong) Co., Limited1 yr

SMD二极管IRF6641TR1PBF封装SMD PNP晶体管MOSFET集成电路ic

重要属性

行业属性

种类

PNP晶体管

品牌

FEIYANG

封装类型

表面贴片封装

其他属性

安装类型

SMD二极管

描述

SMD二极管

原产地

China

封装/外壳

SOT23-3

类型

二极管

工作环境温度

150

系列

二极管

D/C

PNP晶体管

应用

传声器

供应类型

原始制造商, ODM, 代理机构, 零售商, 其他

可参考资料

数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他

品名

PNP晶体管

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

飞扬

电压 - 集射极击穿（最大值）

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

电流 - 集电极截止（最大值）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

功率 - 最大值

频率 - 跃迁

105

操作温度

120

安装方式

螺栓安装

电阻器 - 基底（R1）

电阻器 - 发射极基底（R2）

FET 功能

碳化硅

漏源电压（Vdss）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

响应频率(Hz)

120

额定电流

噪声系数

功率-输出

电压-额定

220

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

Vgs（最大值）

IGBT 类型

配置

T-型

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

输入

NTC 热敏电阻

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

漏极电流（Id） - 最大值

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

电阻 - RDS（开）

电压

电压-输出

电压 - 偏移（Vt）

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

电流 - 谷值（Iv）

电流 - 峰值

应用

晶体管类型

PNP

付款

连接器t

最小起订量

1PCS

包装

SMD

装运方式

DHL

服务

24小时在线服务

提前期

5-7天

保修

1年

条件

100% 原创

包装和发货信息

Port

hongkong

销售单位：

单一商品

单品包装尺寸：

85X55X55 厘米

单品毛重：

1.000 公斤

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