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SISA12ADN-T1-GE3 Mosfet Transistor Original Diskrete Halbleiter produkte Transistoren FETs

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
SISA12ADN-T1-GE3
Art
Einzelne fets, mosfets
Markenname
GOODVIEW
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ
Oberflächen montage
Beschreibung
Mosfet N-CH 30v 25a PPAK1212-8
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Power pak 172160-8
Art
N-Kanal
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c (tj)
Serie
SISA12ADN-T1-GE3
D/c
24 +
Anwendung
Standard
Lieferantentyp
ODM, Einzel händler, Andere
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Einzelne fets, mosfets
Power-Max
3,5 w (ta) / 28w (tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
FET Typ
N-Kanal
Drain Quelle Spannung (Vdss)
30 v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
25a (tc)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
4,3 mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 v @ 250ua
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nc @ 10 v
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pf @ 15 v
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
4,5 V, 10V
Vgs (Max)
+ 20v, -16v
Transistor Typ
Einzelne Füße/mosfets
Produktname
Hochspannungs-Mosfet-Transistor
Verpackung
Tape & Reel (tr) / Cut Tape (ct) / Digi-Reel
Technologie
Mosfet (Metalloxid)
Versand
Dhl ups fedex ems dhl
Zahlung
Paypal \ tt \ western union \ handel assurance
Qualität
100% original Marke
Service
One-Stop-Bom-Service
Vorlaufzeit
3-7 Tage

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
1X1X1 cm
Einzelbruttogewicht:
0.100 kg

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