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SI4943CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC Transistor

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
SI4943CDY-T1-E3
Art
2 p-Kanal ()
Markenname
Original Brand
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ
Oberflächen montage
Beschreibung
Mosfet 2p-ch 20v 8a 8-soic
Ursprungsort
United States
Paket/Fall
8-soic
Art
Transistoren
Betriebstemperatur
Original
Serie
Trenchfet
D/c
Neueste
Anwendung
Transistoren
Lieferantentyp
Original hersteller
Kreuz Referenz
Transistor Mosfet
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
SI4943CDY-T1-E3
Strom-Collector (Ic) (Max)
Transistor Mosfet
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Transistor Mosfet
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Transistor Mosfet
Strom-Collector Cutoff (Max)
Transistor Mosfet
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Transistor Mosfet
Power-Max
Transistor Mosfet
Frequenz-Übergang
Transistor Mosfet
Betriebstemperatur
Transistor Mosfet
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
Widerstand-Basis (R1)
Transistor Mosfet
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Transistor Mosfet
FET Typ
N und p-Kanal
FET Feature
Logic-Level-Tor, 4,5 V Stick
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Transistor Mosfet
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Transistor Mosfet
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Transistor Mosfet
Vgs (th) (Max) @ Id
Transistor Mosfet
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Transistor Mosfet
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Transistor Mosfet
Frequenz
Transistor Mosfet
Nennstrom (Ampere)
Transistor Mosfet
Rauschzahl
Transistor Mosfet
Power-Ausgang
Transistor Mosfet
Spannung-Bewertet
Transistor Mosfet
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Transistor Mosfet
Vgs (Max)
Transistor Mosfet
IGBT Typ
Transistor Mosfet
Konfiguration
Transistor Mosfet
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Transistor Mosfet
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Transistor Mosfet
Eingang
Transistor Mosfet
Ntc
Transistor Mosfet
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Transistor Mosfet
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Transistor Mosfet
Strom Drain (Id)-Max
Transistor Mosfet
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Transistor Mosfet
Widerstand-RDS (Auf)
Transistor Mosfet
Spannung
Transistor Mosfet
Spannung-Ausgang
Transistor Mosfet
Spannung-Offset (Vt)
Transistor Mosfet
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Transistor Mosfet
Strom-Tal (Iv)
Transistor Mosfet
Strom-Spitzen
Transistor Mosfet
Anwendungen
Transistor Mosfet
Transistor Typ
Transistor Mosfet
Bom service
Verfügbar
Leiterplatte baugruppe
Verfügbar
Ic programmierung
Verfügbar
Vakuum verpackung
Verfügbar

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
15X10X5 cm
Einzelbruttogewicht:
0.050 kg

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