Montage Typ
Oberflächen montage technologie (smt)
Beschreibung
Npn Silizium-Epitaxie-Planar transistor für Schalt-und Verstärker anwendungen
Media Verfügbar
Datenblatt
Strom-Collector (Ic) (Max)
200ma
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
40v
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
Kollektor-Emitter-Spannung-max
40v
Gleichstrom-Gewinn-min (hfe)
30
Peak Reflow Temperatur (cel)
260