Montage Typ
Oberflächen montage
Beschreibung
P kommuniziert mos Felde ffekt transistoren
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c
Anwendung
Power Schalter Schaltungen
Kreuz Referenz
Lypm2337s1p
Media Verfügbar
Datenblatt
Strom-Collector (Ic) (Max)
Lypm2337s1p
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Lypm2337s1p
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Lypm2337s1p
Strom-Collector Cutoff (Max)
Lypm2337s1p
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Lypm2337s1p
Frequenz-Übergang
Lypm2337s1p
Betriebstemperatur
Lypm2337s1p
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
Widerstand-Basis (R1)
Lypm2337s1p
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Lypm2337s1p
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Lypm2337s1p
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Lypm2337s1p
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Lypm2337s1p
Vgs (th) (Max) @ Id
Lypm2337s1p
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Lypm2337s1p
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Lypm2337s1p
Nennstrom (Ampere)
Lypm2337s1p
Spannung-Bewertet
Lypm2337s1p
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Lypm2337s1p
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Lypm2337s1p
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Lypm2337s1p
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Lypm2337s1p
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Lypm2337s1p
Strom Drain (Id)-Max
Lypm2337s1p
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Lypm2337s1p
Widerstand-RDS (Auf)
Lypm2337s1p
Spannung-Ausgang
Lypm2337s1p
Spannung-Offset (Vt)
Lypm2337s1p
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Lypm2337s1p
Strom-Tal (Iv)
Lypm2337s1p
Transistor Typ
Lypm2337s1p
Zahlung
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Qualität
100% original Marke
Service
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