Hochleistungs-Leistungs halbleiter: Das JMJKorea-JS1R080M12SF-T4 ist ein Hochgeschwindigkeits-Schalt-SiC-MOSFET-Leistungs halbleiter produkt, das für Anwendungen entwickelt wurde, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Hochspannung und Strom behandlung: Mit einer maximalen Nennspannung von 1200V und einer Strom handling kapazität von 26A ist dieses Produkt für anspruchs volle Anwendungen wie die Automobili ndustrie geeignet.
Niedrige thermische Impedanz: Das Produkt weist eine geringere thermische Impedanz auf, was zu einer höheren Systeme ffizienz und einer verringerten Wärme erzeugung führt.
Zuverlässige Körper diode: Das Gerät enthält eine zuverlässige Körper diode mit geringerer Kapazität, die einen stabilen Betrieb gewähr leistet und das Rauschen minimiert.
Einfach zu parallelen: Der niedrige Qg-Wert des Produkts erleichtert die Parallele, was ein vereinfachtes Schaltung design und eine verbesserte System leistung für den Benutzer ermöglicht.
