Hochspannung fähigkeit: Dieser JMJKorea SiC MOSFET-Halbleiter verfügt über eine Hochspannung von 1200V und ist damit für anspruchs volle Anwendungen geeignet.
Niedriger Widerstand und hoher Wirkungsgrad: Mit einem Widerstand von 80Mohm sorgt es für schnelles Schalten und eine geringere thermische Impedanz, was zu einer höheren Systeme ffizienz führt.
Zuverlässige Körper diode: Die Komponente verfügt über eine zuverlässige Körper diode mit geringerer Kapazität, die Schalt verluste reduziert und die Gesamt leistung verbessert.
Einfache parallele Bedienung: Der niedrige Qg-Wert dieses MOSFET erleichtert das Parallel ieren, was ein flexibles Schaltung design und eine verbesserte Zuverlässigkeit ermöglicht.
Premium-Qualität und Made in Korea: Als Premium-Produkt von JMJKorea wird diese Komponente in Korea mit High-End-Design und einem Doppel-Blei rahmen für zusätzliche Haltbarkeit hergestellt.
