Montage Typ
Chassis halterung
Beschreibung
Igbt Modul Graben feld Stop Halb brücke
Betriebstemperatur
-40 °c ~ 150 °c (tj)
Anwendung
Graben feld stopp
Lieferantentyp
Ursprünglicher Hersteller, Einzel händler, Andere
Strom-Collector (Ic) (Max)
50 a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
1200 v
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
2,15 v @ 15v, 50a
Strom-Collector Cutoff (Max)
1 ma
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungstyp
Chassis Montieren
Widerstand-Basis (R1)
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Widerstand-Emitter Basis (R2)
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FET Feature
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Drain Quelle Spannung (Vdss)
1200 v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
50 a
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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Frequenz
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Nennstrom (Ampere)
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Rauschzahl
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Spannung-Bewertet
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Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
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Vgs (Max)
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IGBT Typ
Graben feld stopp
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
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Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
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Ntc
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Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
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Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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Strom Drain (Id)-Max
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Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
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Widerstand-RDS (Auf)
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Spannung
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Spannung-Ausgang
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Spannung-Offset (Vt)
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Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
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Strom-Tal (Iv)
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Strom-Spitzen
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Anwendungen
Igbt Modul Graben feld Stop Halb brücke
Transistor Typ
Graben feld stopp
