IRFB3077PBF Leistungs felde ffekt transistoren MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB IC-Chip IRFB3077PBF

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Shenzhen E-Tag Industrial Co., Ltd.5 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IRFB3077PBF

Art

Power Field-Effect Transistors

Markenname

E-TAG

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Ursprungsort

Guangdong, China

Paket/Fall

TO-220-3

D/c

New

Anwendung

Power Management, Battery Operated Drive

Lieferantentyp

Original hersteller, Agentur

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle

品名

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

Strom-Collector (Ic) (Max)

25A

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

100V

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 5A, 25A

Strom-Collector Cutoff (Max)

1mA

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 15A, 4V

Power-Max

125W

Frequenz-Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungstyp

Perforation

FET Typ

N-Channel

Drain Quelle Spannung (Vdss)

75V

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

120A (Tc)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250uA

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 50V

Frequenz

3 MHz

Power-Ausgang

370 W

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

10V

Vgs (Max)

±20V

Anwendungen

Power Management, Full-Bridge, Push-Pull

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung

IRFB3077PBF Power Field-Effect Transistors MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB integrated circuits ic chip IRFB3077PBF

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