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Hochwertiger MOS-Transistor GAN FET 600 V 9 A TO220 TPH3202PS

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Shenzhen Shiji Chaoyue Electronics Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant6 yrsCN
Hochwertiger MOS-Transistor GAN FET 600 V 9 A TO220 TPH3202PS
Hochwertiger MOS-Transistor GAN FET 600 V 9 A TO220 TPH3202PS

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
TPH3202PS
Art
MOSFET
Markenname
original brand
Paket-Art
Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ
SMD/SMT
Beschreibung
STANDARD, GAN FET 600V 9A TO220
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
TO-220-3
Art
RF TRANSISTOR, Field-Effect Transistor
Part Number
TPH3202PS
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage
600V
Current @ 25°C
9A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250uA
Gate Charge @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance @ Vds
2.5V @ 250uA
Power Dissipation (Max)
65W (Tc)
Company
SHIJI CHAOYUE
Payment
TT PAYAPL ALIPAY

Beschaffungszeit

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

100 - 499 Stück
1,82 €
500 - 999 Stück
1,63 €
>= 1000 Stück
1,53 €

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