Hochwertiges JMJKorea-Marken-KI-Leidrahmenmaterial niedrigere Kapazität 1200 V 20 Mohs SiC MOSFET-Halbleitermodul

Name: Hochwertiges JMJKorea-Marken-KI-Leidrahmenmaterial niedrigere Kapazität 1200 V 20 Mohs SiC MOSFET-Halbleitermodul
Brand: JMJ KOREA CO.,LTD
SKU: 1601155183503
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JMJ KOREA CO.,LTD1 yr

Hochwertiges JMJKorea-Marken-KI-Leidrahmenmaterial niedrigere Kapazität 1200 V 20 Mohs SiC MOSFET-Halbleitermodul

Hauptmerkmale

Andere Merkmale

Ursprungsort

South Korea

Markenname

JMJKorea

Modellnummer

JS1R020M12SF-T3

Art

Integrierte Schaltung

Vds = 1200v, id = 86a, rdson = 18

Hoch geschwindigkeit schaltung

Zuverlässige Körper diode

Niedrigere Kapazität

Höhere Systeme ffizienz

Untere thermische Impedanz

Niedriger qg

Leicht zu parallel

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