Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Standard, Standard verpackung für elektronische Komponenten
Art
Standard, Igbt Transistor
Betriebstemperatur
Standard
Anwendung
Netzschalter schaltungen, Kommunikation/Elektronik/Beleuchtung
Lieferantentyp
Original hersteller, Andere
Kreuz Referenz
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Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, Andere
Strom-Collector (Ic) (Max)
15a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
230v
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
3v @ 800ma, 8a
Strom-Collector Cutoff (Max)
5ua (icbo)
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
55 @ 1a, 5v, 80
Widerstand-Basis (R1)
Als Parameter
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Als Parameter
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Als Parameter
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Als Parameter
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Als Parameter
Vgs (th) (Max) @ Id
Als Parameter
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Als Parameter
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Als Parameter
Frequenz
Ursprünglicher Standard
Spannung-Bewertet
230 Volt
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Als Parameter
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Als Parameter
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Ursprünglicher Standard
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Als Parameter
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Als Parameter
Strom Drain (Id)-Max
Als Parameter
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Als Parameter
Widerstand-RDS (Auf)
Als Parameter
Spannung
Maximaler Strom mit 230 Volt
Spannung-Offset (Vt)
Als Parameter
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Als Parameter
Strom-Tal (Iv)
Als Parameter
Strom-Spitzen
Als Parameter
Anwendungen
Ursprünglicher Standard
Transistor Typ
Audio-Leistungs transistor
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