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Elektronischer Halbleiter STW56N60M2 N-Kanal 600 V 52A (Tc) 350W (Tc) durch Loch TO-247-3 Transistor Fet Mosfet

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GOODVIEW GLOBAL LIMITED1 yrHK
Elektronischer Halbleiter STW56N60M2 N-Kanal 600 V 52A (Tc) 350W (Tc) durch Loch TO-247-3 Transistor Fet Mosfet
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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
STW56N60M2
Art
Einzelne fets, mosfets
Markenname
GOODVIEW
Paket-Art
Durch Loch

Andere Merkmale

Montage Typ
Durch Loch
Beschreibung
Mosfet N-CH 600v 52a to247
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Bis-247-3
Art
N-Kanal
Betriebstemperatur
150 °c (tj)
Serie
Stw56n60m2
D/c
24 +
Anwendung
Standard
Lieferantentyp
ODM, Einzel händler, Andere
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Transistor fet mosfet
Power-Max
350w (tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungstyp
Perforation
FET Typ
N-Kanal
Drain Quelle Spannung (Vdss)
600 v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
52a (tc)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
55mohm @ 26a, 10v
Vgs (th) (Max) @ Id
4v @ 250ua
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
91 nc @ 10 v
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pf @ 100 v
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
10v
Vgs (Max)
± 25v
Transistor Typ
Einzelne Füße/mosfets
Produktname
Transistor fet mosfet
Verpackung
Rohr
Technologie
Mosfet (Metalloxid)
Versand
Dhl ups fedex ems dhl
Zahlung
Paypal \ tt \ western union \ handel assurance
Qualität
100% original Marke
Service
One-Stop-Bom-Service
Vorlaufzeit
3-7 Tage

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
1X1X1 cm
Einzelbruttogewicht:
0.100 kg
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