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Elektronische diskrete Halbleiter module N-Kanal 600 V 13A (Tc) 25W (Tc) durch Loch TO-220FP Fet Mosfet-Transistoren

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GOODVIEW GLOBAL LIMITED2 yrsHK
Elektronische diskrete Halbleiter module N-Kanal 600 V 13A (Tc) 25W (Tc) durch Loch TO-220FP Fet Mosfet-Transistoren
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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
STF18N60M2
Art
Einzelne fets, mosfets
Markenname
GOODVIEW
Paket-Art
Durch Loch

Andere Merkmale

Montage Typ
Durch Loch
Beschreibung
Mosfet N-CH 600v 13a to220fp
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Bis-220-3 volle Packung
Art
N-Kanal
Betriebstemperatur
-55 °c ~ 150 °c (tj)
Serie
Stf18n60m2
D/c
24 +
Anwendung
Standard
Lieferantentyp
ODM, Einzel händler, Andere
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
Fet mosfet transistor
Power-Max
25w (tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungstyp
Perforation
FET Typ
N-Kanal
Drain Quelle Spannung (Vdss)
600 v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
13a (tc)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
280mohm @ 6,5 a, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4v @ 250ua
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21,5 nc @ 10 v
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
791 pf @ 100 v
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
10v
Vgs (Max)
± 25v
Transistor Typ
Einzelne Füße/mosfets
Produktname
Transistor fet mosfet
Verpackung
Rohr
Technologie
Mosfet (Metalloxid)
Versand
Dhl ups fedex ems dhl
Zahlung
Paypal \ tt \ western union \ handel assurance
Qualität
100% original Marke
Service
One-Stop-Bom-Service
Vorlaufzeit
3-7 Tage

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
1X1X1 cm
Einzelbruttogewicht:
0.100 kg
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