Ursprungsort
Guangdong, China
Strom-Collector (Ic) (Max)
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Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
...
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
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Strom-Collector Cutoff (Max)
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Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Emitter Basis (R2)
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Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
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Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
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Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
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Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
...
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
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Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
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Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
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Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
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Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
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Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
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Transistor polarität
N-Kanal
VDS-Drain-Source-Durchschlags pannung
60 v
Id-kontinuierlicher Drainage strom
200 ma
Rds On - Drain-Source-Widerstand
1,2 Ohm
Vgs-gate-quell spannung
-20 v, + 20 v
Vgs th-gate-quelle schwellen spannung
1 v
Minimale Betriebs temperatur
-55 c
Maximale Betriebs temperatur
+ 150 c
