5 SLD1000N330300 3300V 2 * 1000A Hipak AlSiC-Grundplatte mit zwei Dioden und hoher Leistung Hitachi Energy ABB Silicon Wafer Material

Name: 5 SLD1000N330300 3300V 2 * 1000A Hipak AlSiC-Grundplatte mit zwei Dioden und hoher Leistung Hitachi Energy ABB Silicon Wafer Material
Brand: Yiyue Singapore co ltd
SKU: 1601266921659
Price: 1,000 USD
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5 SLD1000N330300 3300V 2 * 1000A Hipak AlSiC-Grundplatte mit zwei Dioden und hoher Leistung Hitachi Energy ABB Silicon Wafer Material

Haupteigenschaften

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Ursprungsort

Switzerland

Markenname

Hitachi Energy

Modellnummer

5SLD1000N330300

Art

Silizium Wafer

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